Abstract GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots (QDs) was investigated by Photoreflectance (PR) technique at 300 K. PR spectra obtained were compared with commercial GaAs sample PR spectra, and they were analyzed by using the derivative Lorentzian functions as proposed by Aspnes in the middle field regimen. PR spectra in InAs/GaAs QDs sample was attributed to the photoreflectance response in the GaAs buffer layer. Band bending energies were calculated for laser intensities from 1 mW to 21 mW. The photoreflectance comparative study in the samples was realized considering the difference in the parameters: electric field on the surface, broadening parameter, energy gained by photoexcited carriers due to the electric field applied, frequency of light and heavy holes and band bending energy values. The results suggest that the presence of InAs quantum dots increases the light and heavy holes frequencies and the band bending energy values; and decreases the electric field on the surface, the broadening parameter and the energy gained by photoexcited carriers. We found that InAs QDs presence modifies the surface electrical field around one order of magnitude in the GaAs buffer layer and this behavior can be attributed to surface passivation.

In this paper it is presented the study of trap-filling time (τ)in a GaAs single crystal and InAs Self-assembled quantum dots (SAQDs), using the analysis of the photoreflectance (PR) spectra measured at room temperature. The SAQDs were grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy (MBE), and GaAs sample is a commercial single crystal. The PR spectra were measured varying the chopper frequency from 80 Hz to 3000 Hz. From the analysis of these PR spectra, it was obtained the dependence of the PR signal intensity with the modulation frequency. By fitting these experimental data, it was determined that the presence of the SAQDs increases the value ofτ.

En este trabajo se presentan los resultados del estudio del tiempo de llenado de trampas (τ)en un monocristal de GaAs y en puntos cuánticos autoensamblados (PCAs) de InAs, empleando el análisis de espectros de Fotorreflectancia (FR) a temperatura ambiente. Los PCAs fueron crecidos sobre un sustrato de GaAs por medio de la técnica de epitaxia de haces moleculares, mientras que la muestra de GaAs es un monocristal comercial. Los espectros de FR fueron tomados variando la frecuencia del haz modulador para valores comprendidos desde 80Hz hasta 3000Hz. Del respectivo análisis de los espectros de FR, se obtuvo la dependencia de la intensidad de la señal de Fotorreflectancia con la frecuencia de modulación. A partir del ajuste de los datos experimentales de la variación de la intensidad de la señal de FR con la frecuencia de modulación, se logró determinar que la presencia de los PCAs incrementan el valor deτ.

In this work we present the analysis of the inhomogeneous broadening of Photoreflectance (PR) and Photoluminiscence (PL) spectra in InGaAs/InAlAs quantum wells. The sample was grown by means of Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) with well widths in the range from 6.5 to 10.5 nm. PR measurements were performed in the temperature range between 220 and 300 K while the PL measurements were made in the temperature range from 11 to 300 K. Comparative analysis of line shapes of the PR and PL experimental spectra reveals an inhomogeneous broadening in both measurements, which is attributed to local stresses in the well-barrier interface. From the analysis of the PR and PL spectra, we obtained the temperature dependence of the broadening parameters, allowing the identification of effects of exciton-phonon interaction in optical transitions studied by both optical techniques.

En este trabajo presentamos el análisis de los ensanchamientos inhomogéneos de espectros de Fotorreflectancia (FR) y Fotoluminiscencia (FL) en pozos cuánticos de InGaAs/InAlAs. La muestra fue crecida por medio de la técnica de Deposición de Vapor Químico Metal Orgánico (MOCVD) con anchos de pozos que van desde 6.5 hasta 10.5 nm. Las mediciones de FR se realizaron en el rango de temperaturas comprendido entre 220 y 300 K, mientras que las mediciones de FL se hicieron en el rango de temperaturas comprendido desde 11 hasta 200 K. Se hizo un análisis comparativo de las formas de línea de los espectros experimentales de FR y FL, encontrándose ensanchamientos inhomogéneos, los cuales se atribuyen a tensiones locales en la interfase pozo-barrera. De los respectivos análisis de los espectros de FR y FL, se logró obtener la dependencia con la temperatura de los parámetros de ensanchamiento de los espectros de FR y FL, lográndose identificar efectos de la interacción excitón-fonón en las transiciones ópticas estudiadas por ambas técnicas de caracterización óptica.

Guadua angustifolia-Kunth is a forest resource with special physical and mechanical characteristics, which is used mainly in houses building, laminates manufacture, and decorative items. Also it plays an important role in watershed protection, in the CO2 capture and soil conservation. The thermal and mechanical characterization of this type of biological materials is very important for optimizing the industrial transformation processes and improving the final product quality. In this work, thermal diffusivity, thermal effusivity and Brinell hardness (DB) of bottom, middle and top culm areas along the Guadua were considered. These thermo-physical parameters were measured using photoacoustic technique, while DB values were calculated according to the international standards. Results show that heat transport and surface deformation magnitudes are homogeneous along this bamboo. It was found that this behavior is highly correlated with the morpho-anatomical characteristics of the plant, which were determined through photo-micrographs.

La Guadua angustifolia-Kunth es un recurso forestal que debido a sus características físicas y mecánicas ha sido utilizado principalmente en la construcción de viviendas, en la fabricación de laminados y de artículos decorativos. Además es una planta que desempeña un importante papel como protectora de cuencas hidrográficas, en la captura de CO2 y en la conservación de suelos. La caracterización térmica y mecánica de este tipo de materiales de origen biológico es de mucha importancia ya que permiten optimizar los procesos de transformación industrial para mejorar la calidad del producto final. En este trabajo se reportan mediciones de difusividad térmica, efusividad térmica y dureza Brinell (DB) que fueron hechas a muestras tomadas a lo largo del culmo de la guadua, considerando las zonas conocidas como cepa, basa y sobrebasa. Los parámetros termofísicos fueron medidos haciendo uso de la técnica fotoacústica mientras que los valores de DB fueron calculados de acuerdo con estándares internacionales. Los resultados muestran que las magnitudes asociadas al transporte de calor y a la deformación superficial en la guadua son homogéneas a lo largo de ella. Se comprobó que este comportamiento presenta alta correlación con las características morfoanatómicas de la planta, que fueron determinadas a través de la observación de micrografías.

We studied growth mechanisms in semiconducting Ga1 - xIn xAs ySb1 - y films grown by liquid phase epitaxy on (100) GaSb:Te (10(17) cm- 3) substrates at 600 ºC solution-substrate temperature. Atomic Force Microscopy (AFM) images of these films show step-like corrugations, undulations, grooves, and terraces. The terraces are a few nm in height and hundreds of nanometers in length. Epitaxial Ga1 - xIn xAs ySb1 - y films grow lattice-matched to the (100) GaSb substrates. These narrow-gap quaternary Ga1 - xIn xAs ySb1 - y compounds are suitable materials for heterostructure devices operating in the infrared wavelength range. The estimated x and y values are in the GaSb-rich zone. The step-like corrugations (bunching steps) are formed by different mechanisms, such as pinning effect probably due to impurities on the substrate surface.